Samsung сегодня представил потенциальный прорыв в своей памяти GREEN DDR3 развивающие свои первые примеры построены на 30 нанометров (нм) процесс. Размер позволяет уменьшить 2 Gigabit (256MB) чипы, которые используют 30 процентов меньше энергии, чем 50 нм DDR3. В типичном ноутбуке, по Samsung оценкам 4GB RAM планка новой памяти будет потреблять всего 3 Вт энергии каждый час и продлит срок службы батарей,на гораздо длительный срок.
samsung 30nm ddr3
Корейская компания также считает если больше фишек могут быть произведены на данной пластине, это около 60 процентов будет более эффективным, чем ее 50 нм или 60 нм предшественники и должны в результате падать в цене. В последние месяцы, 4GB DDR3 планки часто были слишком дорогими для непрофессиональных модернизаций.
Память все еще находится на ранней стадии разработке и не будет в объеме производства до второй половины текущего года.
0 Комментарии
Вы можете первым оставить комменты.